前在紫外激光方面并不弱，只不过在光刻机光源应用上还存在一定的问题。”
“我们目前主要还是停留在对于深紫外光的研究之上，但是下一代光刻技术的关键肯定是在极紫外光上。”
“目前国际上，极紫外光的光源发展，也是很迅速。”
“据我所知，ASML的LPPEUV已经要完成开发了。”
“他们是通过四十千瓦的红外激光器激发Sn液滴产生的。
这项技术很难说是有多先进，只不过肯定是比较符合他们的利益的。”
ASML和国内毕竟不是一个情况，他们是商业公司，生产出来的光刻机自然也是作为商品存在的。
和国内作为生产工具存在的光刻设备，还是有那么一点点区别。
商品，就必须考虑到运输的问题。
这就导致ASML他们不得不在设备体型上，做出一定的限制。
而现在，张星扬要给国内带来一条在现在看来是一条歪路的办法。
“孙老，您也应该知道，我们的目的是什么？”
“我们是为了发展紫外激光，还是为了有我们国产的光刻设备？”
张星扬讲了一大堆之后，又将一个问题抛给了孙老。
孙洪涛这个时候也还没有反应过来，还没有跟上张星扬的思路：
“这两者，有什么区别吗？”
不过在说着说着，孙洪涛也反应了过来：
“难道说？”
“你有办法绕过紫外激光？”
张星扬轻轻叹了一口气：
“这个办法实际上是有点取巧的。”
“您也知道，我们发展激光的目的，是以激光为刀，在晶圆上进行雕琢。”
“所以我们要的，并不是特定的激光，而是一把锋利的刀！”
“实际上，在微观领域，是有更加锋利的刀。”
“我们在环形粒子加速器上塑造一个类似于波荡器的装置，当被加速的电子束通过这个装置的时候，从外界再打入一道高能激光。
将加速器之中的电子束给进行更加规律的排列，这样他们发出的辐射能量会变得集中。
这也就能够让环形粒子加速器的同步辐射光源发出类似直线加速器的自由电子激光。
这样的话，这束光就同时具有同步辐射的纯净性，又获得了自由电子激光的高能特性，可以应用在光刻领域了。”
张星扬在末尾，想了想还是补充了一下：
“不过这样也会有一个小缺陷。”
“什么缺陷？”
前面的技术原理，孙洪涛也是半懂不懂。
“光刻设备的体型会比较大。”
“芯片制造厂，需要围绕着光刻机来建设！”
本章技术理论来源于清华大佬团队的SSMB-EUV方案，目前还没有准确消息，仅供娱乐。
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